Samsung Electronics ha anunciado la
producción en masa de las nuevas memorias DDR3 basadas en una nueva tecnología
de procesos de 20 nanómetros, que serán utilizadas en una amplia gama de
aplicaciones informáticas.
Samsung ha seguido avanzando en el escalado
de DRAM, utilizando la litografía de inmersión ArE actual en sus nuevas
memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.
"La nueva y eficiente DRAM DDR3 20 nm
ampliará rápidamente el mercado de la industria IT incluyendo los mercados de
PC y móvil" afirmaba el vicepresidente ejecutivo de marketing de memorias
en Samsung Electronics, Young-Hyun Jun.
En este tipo de memorias, cada celda cuenta
con un condensador y un transistor conectados entre sí, haciendo el escalado
más difícil que con una memoria NAND Flash. Para continuar escalando el DRAM
más avanzado, la multinacional surcoreana ha redefinido su diseño y fabricación de tecnologías y
viene con un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.
Esta tecnología permite la producción de DDR de 20nm
utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología
'core'. Samsung ha creado también capacitadores de celdas dieléctricas
ultrafinas, lo que da como resultado celdas con un mayor rendimiento.
Además, los nuevos módulos basados en DDR3
4G 20nm, pueden ahorrar hasta un cuarto de la energía consumida por módulos
equivalentes fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25
nanómetros.
Fuente: EUROPA PRESS